U ovom radu prikazana su mjerenja fotostruje za uzorke tankih filmova cinkovog oksida različitih debljina, sintetiziranih ALD metodom na temperaturi od 60 °C. Površine tankih filmova snimljene su pretražnim elektronskim mikroskopom. Fotostruje mjerene su u ovisnosti o vremenu, u vakuumu i u zraku. Za osvjetljavanje uzoraka korištena je UV lampa koja emitira svjetlost valne duljine λ = 254 nm. Relativna promjena fotostruje, za svaki uzorak, prikazana je u vakuumu i u zraku. Također, prikazana je i relativna promjena fotostruje u vakuumu i u zraku, posebno kada je UV lampa uključena te kada je UV lampa isključena. UV – Vis spektrometrom izmjerena je transmitivnost za uzorak debljine 100 nm, u području valnih duljina od 200 nm do 700 nm. Pokazano je da proporcionalno više svjetlosti prodire kroz tanje uzorke. Za prilagodbu izmjerenih vrijednosti za vremensku relaksaciju pobuđene fotostruje korištene su dvije eksponencijalne funkcije. S obzirom da su amplitude dviju eksponencijalnih funkcija usporedive, zaključeno je da postoje dva fizikalna procesa odgovorna za elektronske prijelaze, odnosno relaksaciju elektrona u osnovno stanje. Karakteristična vremena relaksacije fotostruje, određena u ovom radu, imaju vrijednosti u rasponu od desetak minuta do nekoliko sati. Ta spora relaksacija može se pripisati sporim površinskim procesima uslijed reakcije površine filma s kisikom, a ne rekombinacijiskim procesima koji su dominantni u klasičnim poluvodičima s direktnim poluvodičkim energetskim procijepom kao što je GaAs, za koja su karakteristična vremena relaksacije u području nanosekundi.