prikaz prve stranice dokumenta Tranzistori s efektom polja
Access restricted to students and staff of home institution
undergraduate thesis
Tranzistori s efektom polja
2020. urn:nbn:hr:194:420119
Speranza, Renato
University of Rijeka
Faculty of Physics

Cite this document

Speranza, R. (2020). Tranzistori s efektom polja (Undergraduate thesis). Rijeka: University of Rijeka. Retrieved from https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:194:420119

Speranza, Renato. "Tranzistori s efektom polja." Undergraduate thesis, University of Rijeka, 2020. https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:194:420119

Speranza, Renato. "Tranzistori s efektom polja." Undergraduate thesis, University of Rijeka, 2020. https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:194:420119

Speranza, R. (2020). 'Tranzistori s efektom polja', Undergraduate thesis, University of Rijeka, accessed 26 October 2024, https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:194:420119

Speranza R. Tranzistori s efektom polja [Undergraduate thesis]. Rijeka: University of Rijeka; 2020 [cited 2024 October 26] Available at: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:194:420119

R. Speranza, "Tranzistori s efektom polja", Undergraduate thesis, University of Rijeka, Rijeka, 2020. Available at: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:194:420119

Please login to the repository to save this object to your list.
Metadata
TitleTranzistori s efektom polja
Title (english)Field effect transistors
AuthorRenato Speranza
MentorRobert Peter (mentor)
Committee memberAleš Omerzu (predsjednik povjerenstva)
Committee memberRobert Peter (član povjerenstva)
Committee memberKlaudija Lončarić (član povjerenstva)
GranterUniversity of Rijeka
(Faculty of Physics)
Rijeka
Defense date and country2020-09-01, Croatia
Scientific / art field,
discipline and subdiscipline		NATURAL SCIENCES
Physics
Abstract
U današnjem svijetu tranzistori predstavljaju temeljni element u mikroelektroničkim integriranim krugovima. U ovom radu opisana je struktura i princip rada tranzistora s efektom polja (MOSFET–a). Također, dan je kratak pregled osnovnih svojstava poluvodiča, PN-spoja i bipolarih tranzistora. Tranzistori s efektrom polja mogu veoma efikasno upravljati strujom koja prolazi kroz element (strujom između uvoda i odvoda tranzistora) koristeći male promjene napona na upravljačkoj elektrodi tranzistora. Na taj način se MOSFET tranzistori mogu koristit kao sklopke ili pojačala malih električnih signala. Također, u radu se mjerila i izlazna karakteristika N-kanalnog MOSFET-a, koja pokazuje dobro slaganje s teorijskim opisom rada tranzistora.
Keywords
Languagecroatian
URN:NBNurn:nbn:hr:194:420119
Study programmeTitle: bacc. physics
Study programme type: university
Study level: undergraduate
Academic / professional title: sveučilišni/a prvostupnik/prvostupnica (baccalaureus/baccalaurea) fizike (sveučilišni/a prvostupnik/prvostupnica (baccalaureus/baccalaurea) fizike)
Type of resourceText
File originBorn digital
Access conditionsAccess restricted to students and staff of home institution
Terms of useLicence In copyright icon
Created on2020-10-19 10:47:07