prikaz prve stranice dokumenta Tranzistori s efektom polja
Pristup korisnicima matične ustanove
završni rad
Tranzistori s efektom polja
2020. urn:nbn:hr:194:420119
Speranza, Renato
Sveučilište u Rijeci
Fakultet za fiziku

Citirajte ovaj rad

Speranza, R. (2020). Tranzistori s efektom polja (Završni rad). Rijeka: Sveučilište u Rijeci. Preuzeto s https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:194:420119

Speranza, Renato. "Tranzistori s efektom polja." Završni rad, Sveučilište u Rijeci, 2020. https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:194:420119

Speranza, Renato. "Tranzistori s efektom polja." Završni rad, Sveučilište u Rijeci, 2020. https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:194:420119

Speranza, R. (2020). 'Tranzistori s efektom polja', Završni rad, Sveučilište u Rijeci, citirano: 24.10.2024., https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:194:420119

Speranza R. Tranzistori s efektom polja [Završni rad]. Rijeka: Sveučilište u Rijeci; 2020 [pristupljeno 24.10.2024.] Dostupno na: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:194:420119

R. Speranza, "Tranzistori s efektom polja", Završni rad, Sveučilište u Rijeci, Rijeka, 2020. Dostupno na: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:194:420119

Za citiranje koristite ovu mrežnu adresu: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:194:420119
Prijavite se u repozitorij kako biste mogli spremiti objekt u svoju listu.
Podaci o radu
NaslovTranzistori s efektom polja
Naslov (engleski)Field effect transistors
AutorRenato Speranza
MentorRobert Peter (mentor)
Član povjerenstvaAleš Omerzu (predsjednik povjerenstva)
Član povjerenstvaRobert Peter (član povjerenstva)
Član povjerenstvaKlaudija Lončarić (član povjerenstva)
Ustanova koja je dodijelila
akademski / stručni stupanj		Sveučilište u Rijeci
(Fakultet za fiziku)
Rijeka
Datum i država obrane2020-09-01, Hrvatska
Znanstveno / umjetničko
područje, polje i grana		PRIRODNE ZNANOSTI
Fizika
Sažetak
U današnjem svijetu tranzistori predstavljaju temeljni element u mikroelektroničkim integriranim krugovima. U ovom radu opisana je struktura i princip rada tranzistora s efektom polja (MOSFET–a). Također, dan je kratak pregled osnovnih svojstava poluvodiča, PN-spoja i bipolarih tranzistora. Tranzistori s efektrom polja mogu veoma efikasno upravljati strujom koja prolazi kroz element (strujom između uvoda i odvoda tranzistora) koristeći male promjene napona na upravljačkoj elektrodi tranzistora. Na taj način se MOSFET tranzistori mogu koristit kao sklopke ili pojačala malih električnih signala. Također, u radu se mjerila i izlazna karakteristika N-kanalnog MOSFET-a, koja pokazuje dobro slaganje s teorijskim opisom rada tranzistora.
Ključne riječi
Jezikhrvatski
URN:NBNurn:nbn:hr:194:420119
Studijski programNaziv: Fizika
Vrsta studija: sveučilišni
Stupanj studija: preddiplomski
Akademski / stručni naziv: sveučilišni/a prvostupnik/prvostupnica (baccalaureus/baccalaurea) fizike (univ. bacc. phys.)
Vrsta resursaTekst
Način izrade datotekeIzvorno digitalna
Prava pristupaPristup korisnicima matične ustanove
Uvjeti korištenjaIkona licence Zaštićeno autorskim pravom.
Datum i vrijeme pohrane2020-10-19 10:47:07