prikaz prve stranice dokumenta Mjerenje elektronskih transportnih svojstava tankih filmova cinkovog oksida sintetiziranih tehnikom depozicije atomskih slojeva
Pristup korisnicima matične ustanove
diplomski rad
Mjerenje elektronskih transportnih svojstava tankih filmova cinkovog oksida sintetiziranih tehnikom depozicije atomskih slojeva
2018. urn:nbn:hr:194:351246
Veličan, Karlo
Sveučilište u Rijeci
Fakultet za fiziku

Citirajte ovaj rad

Veličan, K. (2018). Mjerenje elektronskih transportnih svojstava tankih filmova cinkovog oksida sintetiziranih tehnikom depozicije atomskih slojeva (Diplomski rad). Rijeka: Sveučilište u Rijeci. Preuzeto s https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:194:351246

Veličan, Karlo. "Mjerenje elektronskih transportnih svojstava tankih filmova cinkovog oksida sintetiziranih tehnikom depozicije atomskih slojeva." Diplomski rad, Sveučilište u Rijeci, 2018. https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:194:351246

Veličan, Karlo. "Mjerenje elektronskih transportnih svojstava tankih filmova cinkovog oksida sintetiziranih tehnikom depozicije atomskih slojeva." Diplomski rad, Sveučilište u Rijeci, 2018. https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:194:351246

Veličan, K. (2018). 'Mjerenje elektronskih transportnih svojstava tankih filmova cinkovog oksida sintetiziranih tehnikom depozicije atomskih slojeva', Diplomski rad, Sveučilište u Rijeci, citirano: 16.11.2024., https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:194:351246

Veličan K. Mjerenje elektronskih transportnih svojstava tankih filmova cinkovog oksida sintetiziranih tehnikom depozicije atomskih slojeva [Diplomski rad]. Rijeka: Sveučilište u Rijeci; 2018 [pristupljeno 16.11.2024.] Dostupno na: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:194:351246

K. Veličan, "Mjerenje elektronskih transportnih svojstava tankih filmova cinkovog oksida sintetiziranih tehnikom depozicije atomskih slojeva", Diplomski rad, Sveučilište u Rijeci, Rijeka, 2018. Dostupno na: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:194:351246

Za citiranje koristite ovu mrežnu adresu: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:194:351246
Prijavite se u repozitorij kako biste mogli spremiti objekt u svoju listu.
Podaci o radu
NaslovMjerenje elektronskih transportnih svojstava tankih filmova cinkovog oksida sintetiziranih tehnikom depozicije atomskih slojeva
Naslov (engleski)Electronic transport measurements on zinc oxide thin films synthesized by atomic layer deposition
AutorKarlo Veličan
MentorAleš Omerzu (mentor)
Član povjerenstvaMladen Petravić (predsjednik povjerenstva)
Član povjerenstvaRobert Peter (član povjerenstva)
Član povjerenstvaAleš Omerzu (član povjerenstva)
Ustanova koja je dodijelila
akademski / stručni stupanj		Sveučilište u Rijeci
(Fakultet za fiziku)
Rijeka
Datum i država obrane2018-06-18, Hrvatska
Znanstveno / umjetničko
područje, polje i grana		PRIRODNE ZNANOSTI
Fizika
Sažetak
Ovim diplomskim radom predstavljena je razlika električnih transportnih svojstava tankih filmova cinkovog oksida (ZnO) sintetiziranih tehnikom depozicije atomskih slojeva (ALD) pri temperaturama sinteze od 100 ℃ i 200 ℃. Poprečni presjeci i morfologije tankih filmova snimljeni su pretražnim elektronskim mikroskopom. Morfologije tankih filmova su uspoređene s rezultatima mjerenja električne otpornosti. Izmjerene strujno naponske karakteristike, iz kojih su izračunate specifične električne otpornosti, pokazale su da specifične električne otpornosti uvelike ovise o temperaturi korištenoj pri ALD sintezi tankih filmova. Izmjerene su vrijednosti (5,8±0,6)∙102 Ωcm za tanki film sintetiziran na 100 ℃ i (3,6±0,4)∙10−2 Ωcm za tanki film sintetiziran na 200 ℃. Tanki film sintetiziran na 200 ℃ je pokazao anomalnu ovisnost otpora kao funkcije vremena, gdje je otpor ovisio o prijašnjem toku struje kroz tanki film. Vjerojatan uzrok takvom anomalnom efektu je sama struktura tankih filmova. Naime, smjer narastanja tankih filmova ima izraženo usmjerenje okomito na površinu supstrata, te takva konfiguracija stvara veliku koncentraciju granica zrna okomito na tok struje. Također, mjerena je i ovisnost električne otpornosti uzoraka o izloženosti uzoraka svjetlosti. Izmjerena su karakteristična vremena saturacije fotostruje, te pokazana ovisnost električnog otpora tankih filmova o UV djelu spektra svjetlosti. Izmjerena karakteristična vremena pobuđenja i relaksacije elektrona odgovaraju dvama procesima od kojih je jedan sporiji, a drugi brži - razlikuju se oko 3 puta za film sintetiziran pri 100 ℃ i oko 36 puta za film sintetiziran pri 200 ℃.
Sažetak (engleski)
In this work I show differences in electric transport properties of zinc oxide (ZnO) thin films deposited by atomic layer deposition (ALD) at two different temperatures. The films were deposited at 100 ℃ and 200 ℃. Morphologies and cross sections of the films were obtained with a scanning electron microscope (SEM). The thin film morphologies were correlated with the electrical transport properties. The electrical resistivity of ZnO thin films depends strongly on the ALD growth temperature. The measured values for electrical resistivity are (5,8±0,6)∙102 Ωcm, for thin films grown at 100 ℃, and (3,6±0,4)∙10−2 Ωcm, for thin films grown at 200 ℃. The resistivities were determined from current voltage characteristics. The thin films grown at 200 ℃ showed an anomalous time dependence of the electrical resistance where the resistance was changing in time, depending on the previous current flow. A probable cause for such behavior lies in structural characteristics of the ZnO thin films - the ALD growth of thin films prefers a uniaxial direction, which creates grain boundaries perpendicular to the current flow. A dependence of the electrical resistivity on an ambient illumination is also presented. From measurements of photocurrent as a function of time, we could extract characteristic excitation and relaxation times of photo created electrons. The characteristic times correspond to two processes, one slower and other faster. The slow and the fast processes differ approximately 3 times for the thin films grown at 100 ℃ and 36 times for the thin films grown at 200 ℃.
Ključne riječi
Ključne riječi (engleski)
Jezikhrvatski
URN:NBNurn:nbn:hr:194:351246
Studijski programNaziv: Fizika
Vrsta studija: sveučilišni
Stupanj studija: diplomski
Akademski / stručni naziv: magistar/magistra fizike (mag. phys.)
Vrsta resursaTekst
Način izrade datotekeIzvorno digitalna
Prava pristupaPristup korisnicima matične ustanove
Uvjeti korištenjaIkona licence Zaštićeno autorskim pravom.
Datum i vrijeme pohrane2018-09-11 07:17:20